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N
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9030NR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
10
22
0.1
?60
60
Gps
η
IMD
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 8. Power Gain, Efficiency and IMD
versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD,
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 250 mA
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
20
40
18
20
16
0
14
?20
12
?40
10
1
100 120 140 160 180 200
210
1010
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than ±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2
for MTTF in a particular application.
109
107
MTTF FACTOR (HOURS X AMPS
2
)
90 110 130 150 170 190
Figure 9. MTTF Factor versus Junction Temperature
108
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